IRF7303QPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7303QPBF
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 248 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 96103

IRF7303QPbF

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

超低导通电阻

双N沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

150 ° C工作温度

汽车[ Q101 ]合格

LEAD -FREE

DSS

= 30V

DS （ ON）

= 0.050Ω

顶视图

描述

专为汽车应用中，这些

HEXFET

功率MOSFET的一个双SO- 8封装应用

在最新的加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。这些附加特征

汽车合格HEXFET功率MOSFET的是

150 ℃的结的工作温度，快速开关

速度和改进的重复雪崩额定值。这些

利益相结合，使这种设计非常有效的

而在汽车应用中使用可靠的设备和

各种各样的其它应用。

高效率的SO -8封装提供了增强的热

特性和双MOSFET管芯的能力使得它

理想中的各种功率应用。这种双重，表面

安装SO- 8可显着减少电路板空间，并

也可用

在磁带&卷轴。

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

10秒。漏电流脉冲，V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

5.3

4.9

3.9

2.0

0.016

± 20

5.0

-55到+ 150

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热电阻额定值

参数

θJA

最大结点到环境？

典型值。

马克斯。

62.5

单位

° C / W

www.irf.com

07/23/07

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案