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IRF7303PBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF7303PBF图片预览
型号: IRF7303PBF
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内容描述: HEXFET功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS ( ON) = 0.050ヘ) [HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.050ヘ )]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 231 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF7303PbF
5.0
V
DS
4.0
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
I
D
,漏电流( A)
-
V
DD
3.0
10V
脉冲宽度
≤ 1
µs
占空比
≤ 0.1 %
2.0
图10A 。
开关时间测试电路
1.0
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图10B 。
开关时间波形
100
热响应(Z
thJA
)
D = 0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
1
0.01
单脉冲
(热反应)
P
DM
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0.0001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结到环境