IRF7105QPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7105QPBF
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
文件页数/大小：	10 页 / 320 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 96102

IRF7105QPbF

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

超低导通电阻

双N和P沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

150 ° C工作温度

汽车[ Q101 ]合格

LEAD -FREE

N沟道MOSFET

N沟道

DSS

DS （ ON）

25V

0.10Ω

3.5A

P沟道

-25V

0.25Ω

-2.3A

P沟道MOSFET

顶视图

描述

专为汽车应用中，这些

HEXFET

功率MOSFET的一个双SO- 8封装应用

在最新的加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。这些附加特征

汽车合格HEXFET功率MOSFET的是

150 ℃的结的工作温度，快速开关

速度和改进的重复雪崩额定值。这些

利益相结合，使这种设计非常有效的

而在汽车应用中使用可靠的设备和

各种各样的其它应用。

高效率的SO -8封装提供了增强的热

特性和双MOSFET管芯的能力使得它

理想中的各种功率应用。这种双重，表面

安装SO- 8可显着减少电路板空间，并

也可用

在磁带&卷轴。

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

N沟道

3.5

2.8

2.0

0.016

± 20

3.0

-55到+ 150

-3.0

P沟道

-2.3

-1.8

-10

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热电阻额定值

θJA

最大结点到环境

参数

分钟。

典型值。

马克斯。

62.5

单位

° C / W

www.irf.com

07/23/07

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