IRF540NS/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
∆V
（ BR ） DSS
/∆T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
100 ––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250µA
--- 0.12 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 44
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
2.0
––– 4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
21
––– –––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 16A
––– ––– 25
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
µA
––– ––– 250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 20V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -20V
––– ––– 71
I
D
= 16A
––– ––– 14
NC V
DS
= 80V
––– –––
21
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
11 –––
V
DD
= 50V
–––
35 –––
I
D
= 16A
ns
–––
39 –––
R
G
= 5.1Ω
–––
35 –––
V
GS
= 10V ，参照图10
D
铅之间，
4.5
–––
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
–––
7.5
–––
而中心的模具接触
S
––– 1960 –––
V
GS
= 0V
––– 250 –––
V
DS
= 25V
–––
40 –––
pF
ƒ = 1.0MHz的，见图。五
--- 700 ？ 185 ？兆焦耳我
AS
= 16A ，L = 1.5mH
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
33
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– ––– 110
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.2
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 16A ，V
GS
= 0V
––– 115 170
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 16A
––– 505 760
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 1.5mH
R
G
= 25Ω, I
AS
= 16A 。 （参见图12）
I
SD
≤ 16A,
的di / dt
≤
340A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
这是在破坏设备的典型值，代表
操作之外的额定范围。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C .
使用IRF540N数据和试验条件。
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。为
推荐的足迹和焊接技术是指应用程序
注意＃ AN- 994
2
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