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    IRF530NPBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRF530NPBF图片预览
    型号： IRF530NPBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲PC局域网
    文件页数/大小： 9 页 / 185 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRF530NPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF530NPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF530NPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF530NPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF530NPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF530NPBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF530NPBF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF530NPBF的Datasheet PDF文件第9页  
    IRF530NPbF
    电气特性@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    V
    （ BR ） DSS
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    L
    D
    L
    S
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    E
    AS
    参数
    漏极至源极击穿电压
    击穿电压温度。系数
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    内部排水电感
    内部源极电感
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    单脉冲雪崩能量
    ‚
    分钟。
    100
    –––
    –––
    2.0
    12
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值。
    –––
    0.11
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    9.2
    22
    35
    25
    4.5
    7.5
    ––– 920
    ––– 130
    –––
    19
    ––– 340…
    MAX 。单位
    条件
    –––
    V
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    --- V / ° C参考到25° C，I
    D
    = 1毫安
    90
    毫欧V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 9.0A
    „
    4.0
    V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    –––
    S
    V
    DS
    = 50V ，我
    D
    = 9.0A
    „
    25
    V
    DS
    = 100V, V
    GS
    = 0V
    µA
    250
    V
    DS
    = 80V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 150°C
    100
    V
    GS
    = 20V
    nA
    -100
    V
    GS
    = -20V
    37
    I
    D
    = 9.0A
    7.2
    nC
    V
    DS
    = 80V
    11
    V
    GS
    = 10V ，参照图6和13
    –––
    V
    DD
    = 50V
    –––
    I
    D
    = 9.0A
    ns
    –––
    R
    G
    = 12Ω
    –––
    V
    GS
    = 10V ，参照图10
    „
    铅之间，
    –––
    6毫米（0.25英寸）。
    nH
    G
    从包
    –––
    而中心的模具接触
    –––
    V
    GS
    = 0V
    –––
    V
    DS
    = 25V
    –––
    pF
    ƒ = 1.0MHz的，见图。五
    93†
    兆焦耳我
    AS
    = 9.0A ，L = 2.3mH
    D
    S
    源极 - 漏极额定值和特性
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    t
    on
    注意事项：
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    向前开启时间
    分钟。典型值。马克斯。单位
    条件
    D
    MOSFET符号
    17
    ––– –––
    展示
    A
    G
    整体反转
    60
    ––– –––
    S
    p-n结二极管。
    ––– ––– 1.3
    V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 9.0A ，V
    GS
    = 0V
    „
    ––– 93 140
    ns
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = 9.0A
    ––– 320 480
    NC的di / dt = 100A / μs的
    „
    固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
    S
    +L
    D
    )
    
    重复评价;脉冲宽度有限的
    ‚
    起始物为
    J
    = 25℃时，L = 2.3mH
    T
    J
    ≤
    175°C
    最大。结温。 （参见图11）
    R
    G
    = 25Ω, I
    AS
    = 9.0A ，V
    GS
    = 10V （见图12）
    „
    脉冲宽度
    ≤
    400μS ;占空比
    ≤
    2%.
    …
    这是在破坏设备的典型值，代表
    操作之外的额定范围。
    †
    这是限定至T的计算值
    J
    = 175°C .
    ƒ
    I
    SD
    ≤
    9.0A ， di / dt的
    ≤
    410A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    （ BR ） DSS
    ,
    2
    www.irf.com

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