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IRF4905STRLPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF4905STRLPBF图片预览
型号: IRF4905STRLPBF
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内容描述: HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 12 页 / 366 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF4905S/L
1000
占空比=单脉冲
100
雪崩电流( A)
0.01
0.05
10
0.10
允许雪崩电流与
雪崩脉冲宽度, TAV
假设
-Tj
= 25°C ,由于
雪崩损失。注意:在无
本案应TJ被允许
超过TJMAX
1
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
TAV (秒)
图15 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
160
EAR ,雪崩能量(兆焦耳)
120
顶部
单脉冲
BOTTOM 1 %占空比
ID = -42A
80
40
0
25
50
75
100
125
开始TJ ,结温( ° C)
对重复性雪崩曲线指出,图15,图16 :
(有关详细信息,请参阅AN -1005在www.irf.com )
1.雪崩失效的假设:
纯粹的热现象而发生故障时,在一个
温度远远超过的T
JMAX
。这验证了
每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的,只要AST
JMAX
is
不超标。
下面3.方程基于电路和中所示的波形
图12a , 12b中。
4. P
D( AVE )
每单=平均功耗
雪崩脉冲。
5. BV =额定击穿电压( 1.3系数占
雪崩过程中电压上升) 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
∆T
=
允许上升的结温,不超过
T
JMAX
(假定为25℃的图15,图16 ) 。
t
AV =
平均时间在雪崩。
150
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
( D,T
av
) =瞬态热阻抗,参见图11)
P
D( AVE )
= 1/2( 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · · ž
th
]
E
AS ( AR )
= P
D( AVE )
·t
av
图16 。
最大雪崩能量
与温度的关系
www.irf.com
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