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IRF4905PBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF4905PBF图片预览
型号: IRF4905PBF
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲PC局域网
文件页数/大小: 8 页 / 179 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD - 94816
IRF4905PbF
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
P沟道
全额定雪崩
LEAD -FREE
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处,结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计,HEXFET功率
MOSFET是众所周知的,为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置,用于使用
在各种各样的应用中。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率
耗散水平到约50瓦。低
热阻和TO-的低封装成本
在整个220向它的广泛接受
业。
HEXFET
®
功率MOSFET
D
V
DSS
= -55V
R
DS ( ON)
= 0.02Ω
G
S
I
D
= -74A
TO-220AB
绝对最大额定值
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流, V
GS
@ -10V
连续漏电流, V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
马克斯。
-74
-52
-260
200
1.3
± 20
930
-38
20
-5.0
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅•在( 1.1N •m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.75
–––
62
单位
° C / W
11/6/03