IRF4905LPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF4905LPBF
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 358 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

IRF4905S/L

不限按包

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

2.0

ID = -42A

VGS = -10V

-ID ，漏电流（ A）

1.5

1.0

100

125

150

TC ，外壳温度（ ° C）

0.5

-60 -40 -20

80 100 120 140 160

TJ ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

D = 0.50

热响应（Z thJC ）

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

0.1165 0.000068

0.3734

0.2608

0.002347

0.014811

0.01

CI-

τi /日

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

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