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    IRF3710ZS 参数 Datasheet PDF下载

    IRF3710ZS图片预览
    型号： IRF3710ZS
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车MOSFET [AUTOMOTIVE MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 269 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRF3710ZS的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF3710ZS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF3710ZS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF3710ZS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF3710ZS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF3710ZS的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF3710ZS的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF3710ZS的Datasheet PDF文件第9页  
    IRF3710Z/S/L
    静态@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    参数
    V
    （ BR ） DSS
    ∆ΒV
    DSS
    /∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    政府飞行服务队
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    L
    D
    L
    S
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    C
    OSS
    C
    OSS
    C
    OSS
    EFF 。
    漏极至源极击穿电压
    击穿电压温度。系数
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    内部排水电感
    内部源极电感
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    输出电容
    输出电容
    有效输出电容
    分钟。典型值。马克斯。单位
    100
    –––
    –––
    2.0
    35
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    0.10
    14
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    82
    19
    27
    17
    77
    41
    56
    4.5
    7.5
    2900
    290
    150
    1130
    170
    280
    –––
    –––
    18
    4.0
    –––
    20
    250
    200
    -200
    120
    28
    40
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    pF
    条件
    V V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    V / ℃参考至25℃ ，我
    D
    = 1毫安
    毫欧V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 35A
    V V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    s V
    DS
    = 50V ，我
    D
    = 35A
    μA V
    DS
    = 100V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 100V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 125°C
    nA的V
    GS
    = 20V
    V
    GS
    = -20V
    NC I
    D
    = 35A
    V
    DS
    = 80V
    V
    GS
    = 10V
    NS V
    DD
    = 50V
    I
    D
    = 35A
    R
    G
    = 6.8Ω
    V
    GS
    = 10V
    D
    nH的铅之间，
    f
    f
    f
    6毫米（0.25英寸）。
    从包
    G
    S
    而中心的模具接触
    V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 25V
    ƒ = 1.0MHz的，见图。五
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 1.0V ， ƒ = 1.0MHz的
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 80V ， ƒ = 1.0MHz的
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 0V至80V
    二极管的特性
    参数
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    t
    on
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    向前开启时间
    分钟。典型值。马克斯。单位
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    50
    100
    59
    A
    240
    1.3
    75
    160
    V
    ns
    nC
    条件
    MOSFET符号
    展示
    整体反转
    G
    D
    Ù
    p-n结二极管。
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 35A ，V
    GS
    = 0V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = 35A ，V
    DD
    = 25V
    的di / dt = 100A / μs的
    f
    S
    f
    固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
    注意事项：
    
    重复评价;脉冲宽度有限的
    最大。结温。 （见图11）。
    ‚
    限制T
    JMAX
    ，起始物为
    J
    = 25 ° C，L = 0.27mH ，
    R
    G
    = 25Ω, I
    AS
    = 35A ，V
    GS
    = 10V 。不属于
    推荐使用高于此值。
    ƒ
    I
    SD
    ≤
    35A ， di / dt的
    ≤
    380A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    （ BR ） DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    175°C.
    „
    脉冲宽度
    ≤
    1.0ms的;占空比
    ≤
    2%.
    …
    C
    OSS
    EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
    为C
    OSS
    而V
    DS
    上升，从0至80 ％的V
    DSS
    .
    †
    限制T
    JMAX
    ，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
    雪崩性能。
    ‡
    从样品失效人口这个值来决定。 100 ％
    测试，在生产该值。
    ˆ
    这个被施加到D
    2
    白，装在1"方形PCB时
    （FR-4或G- 10材料） 。对于推荐的足迹，
    焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
    2
    www.irf.com

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