IRF3710PBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF3710PBF
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
文件页数/大小：	8 页 / 185 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 94954

IRF3710PbF

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

LEAD -FREE

DSS

= 100V

DS （ ON）

= 23mΩ

= 57A

描述

先进的HEXFET

国际整流器功率MOSFET采用

先进的加工技术，以实现极低的导通电阻

每硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET是众所周知

为，为设计者提供了一个非常有效和可靠的设备

在各种各样的应用中使用。

在TO- 220封装普遍首选的所有商业工业

应用在功率耗散水平到约50瓦。低

热电阻及TO -220的低包成本有助于其宽

接受整个行业。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

230

200

1.3

± 20

5.8

-55〜 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅•在（ 1.1N •m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.75

–––

单位

° C / W

www.irf.com

1/29/04

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