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IRF3415PBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF3415PBF图片预览
型号: IRF3415PBF
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 200 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF3415PbF
6000
5000
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ,
C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 22A
16
V
DS
= 120V
V
DS
= 75V
V
DS
= 30V
C,电容(pF )
4000
3000
西塞
12
8
2000
科斯
CRSS
1000
4
0
1
10
100
0
测试电路
见图13
0
40
80
120
160
200
V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
I
D
,漏电流( A)
100
100
10us
T
J
= 175
o
C
10
100us
10
T
J
= 25
o
C
1
1ms
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.6
1.0
1.4
1.8
1
T
C
= 25
o
C
T
J
= 175
o
C
单脉冲
1
10
100
10ms
1000
V
SD
,源极到漏极电压(V )
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区