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IRF3205ZPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF3205ZPBF图片预览
型号: IRF3205ZPBF
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内容描述: 汽车MOSFET [AUTOMOTIVE MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
文件页数/大小: 13 页 / 367 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD - 95129
汽车MOSFET
特点
l
l
l
l
l
l
IRF3205ZPbF
IRF3205ZSPbF
IRF3205ZLPbF
HEXFET
®
功率MOSFET
D
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
LEAD -FREE
V
DSS
= 55V
R
DS ( ON)
= 6.5mΩ
描述
专为汽车应用,
这HEXFET
®
功率MOSFET采用了最新的
加工技术,以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。的附加功能
这样的设计是175 ° C的结温工作
TURE ,开关速度快,提高了重复
雪崩额定值。这些功能结合起来,使
这种设计的一个非常有效和可靠的设备
在汽车应用中使用,各种
的其他应用程序。
G
S
I
D
= 75A
TO-220AB
IRF3205ZPbF
D
2
PAK
TO-262
IRF3205ZSPbF IRF3205ZLPbF
马克斯。
110
78
75
440
170
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
-55〜 + 175
°C
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅的( 1.1N M)
1.1
± 20
A
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流, V
GS
@ 10V
(硅有限公司)
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流, V
GS
@ 10V
(包装有限公司)
漏电流脉冲
I
DM
单位
™
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
线性降额因子
V
GS
栅极 - 源极电压
E
AS (限热)
单脉冲雪崩能量
单脉冲雪崩能量测试值
E
AS
(测试)
d
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
Ù
h
180
250
看到图12a , 12b中,15,16
g
i
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到散热器,平板油脂润滑表面
结到环境
y
y
典型值。
马克斯。
0.90
–––
62
40
单位
° C / W
i
i
–––
0.50
–––
–––
结到环境(印刷电路板安装)
j
www.irf.com
1
3/18/04