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IRF3205S_02 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IRF3205S_02
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 610 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF3205S/IRF3205L
6000
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
5000
VGS = 0V中,f = 1兆赫
西塞=的Cgs + Cgd的,光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
16
14
12
10
8
6
4
2
0
I
D
=
62A
V
DS
= 44V
V
DS
= 27V
V
DS
= 11V
C,电容(pF )
4000
西塞
3000
2000
科斯
1000
CRSS
0
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
VDS ,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
1000
10000
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
T
J
= 175
°
C
100
I
D
,漏电流( A)
1000
10us
10
100
100us
1ms
T
J
= 25
°
C
1
10
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.8
1.4
2.0
2.6
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 175 °C
单脉冲
1
10
10ms
100
1000
V
SD
,源极到漏极电压(V )
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
4
图8 。
最大安全工作区
www.irf.com