PD-91800
IR2153Z
特点
·
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
·
欠压锁定
·
可编程振荡器频率
自振荡半桥驱动器
产品概述
VOFFSET
占空比
IO +/-
VCLAMP
死区时间（典型值）。
600V最大。
50%
200毫安/ 400毫安
15.6V
1.2 µs
f
=
·
·
·
·
1
1.4
×
(R
T
+
75
Ω
)
×
C
T
匹配的传播延迟为两个通道
90 μA微功耗电源的启动电流。
关机功能关闭两个通道
低侧输出同相的RT
描述
该IR2153Z是一个高电压，高转速，自激振荡
功率MOSFET和IGBT驱动器，具有高，低
侧参考输出通道。专有的HVIC和
锁存免疫CMOS技术使加固
单片式结构。前端设有一个编程
序的振荡器，它是类似于555定时器。该
输出驱动器具有高脉冲
当前
缓冲阶段，
内部死区时间设计为最小驱动器跨
传导。传播延迟为两个通道
相匹配，以简化在占空比为50％的应用中使用。
浮置沟道，可用于驱动一个N沟道
在高侧配置中的功率MOSFET或IGBT
该操作过的高电压轨电压高达600伏。
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对的电压。热电阻和功率耗散
而不能使收视率都在船上安装和静止空气条件下测得的。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
LO
V
RT
V
CT
I
CC
I
RT
dV
s
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧输出电压
R
T
电压
C
T
电压
电源电流（注1 ）
R
T
输出电流
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
£
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
—
-5
—
—
—
-55
-55
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
25
5
50
1.0
100
125
150
300
单位
V
mA
V / ns的
W
° C / W
°C
www.irf.com
1
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
