PD - 91883A
IR2113L6
高端和低端驱动器
特点
n
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
n
栅极驱动电压范围为10〜 20V
n
欠压锁定两个通道
n
独立的逻辑电源电压范围为5〜 20V
逻辑和电源接地± 5V偏置
n
CMOS施密特触发与下拉输入
n
逐周期边沿触发关断逻辑
n
匹配的传播延迟为两个通道
n
同相输入输出
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
（典型值）。
延迟匹配
600V最大。
2A / 2A
10 - 20V
120 & 94纳秒
10纳秒
描述
该IR2113L6是一种高电压，高速功率MOSFET
和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考
输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS
技术使坚固耐用的单片式结构。逻辑
输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。
输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级
专为最小驱动器跨导。传播
延迟匹配，以简化在高频用途
应用程序。浮置沟道，可用于驱动一个N
在高侧配置沟道功率MOSFET或IGBT
它的工作频率高达600伏。
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率
耗散额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
dV
S
/ DT
P
D
R
thJA
T
j
T
S
T
L
参数
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
允许偏移电源电压瞬态（图16 ）
包装功耗@ T
A
≤
= 25 ° C（图19 ）
热阻，结到环境
结温
储存温度
包安装表面温度
重量
分钟。
-0.5
—
V
S
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
V
CC
- 20
V
SS
- 0.5
—
—
—
-55
-55
马克斯。
单位
V
S
+ 20
600
V
B
+ 0.5
20
V
CC
+ 0.5
V
SS
+ 20
V
CC
+ 0.5
V
DD
+ 0.5
50
1.6
75
125
150
300
1.5 （典型值）
V
V / ns的
W
° C / W
°C
g
www.irf.com
1
11/09/05
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
