IR2103(S)PBF
半桥驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10〜 20V
欠压锁定
3.3V ， 5V和15V逻辑兼容
跨导预防逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
内部设置死区时间
高侧输出同相输入HIN
低侧输出的相位与LIN输入
产品概述
V
OFFSET
（最大）
I
O+/-
V
OUT
吨/关（典型值）。
死区时间（典型值）。
600V
130毫安/ 270毫安
10V – 20V
680 & 150纳秒
520纳秒
描述
该IR2103 （S ）为高电压，高速功率MOSFET和
IGBT驱动器具有依赖性高，低侧参考输出
通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术
使坚固耐用的单片式结构。逻辑输入是
与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V兼容
逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级
专为最小驱动器跨导。浮置沟道
可被用来驱动在该N沟道功率MOSFET或IGBT
高端配置，它的工作频率高达600伏。
封装选项
8引脚SOIC
8引脚PDIP
订购信息
基本零件编号
IR2103SPBF
IR2103SPBF
IR2103PBF
标准包装
套餐类型
SO8N
SO8N
PDIP8
形式
管
磁带和卷轴
管
QUANTITY
95
2500
50
订购型号
IR2103SPBF
IR2103STRPBF
IR2103PBF
1
www.irf.com
© 2013国际整流器
2013年4月18日
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
