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    112MT80KBS90PBF 参数 Datasheet PDF下载

    112MT80KBS90PBF图片预览
    型号： 112MT80KBS90PBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 3 Element]
    分类和应用： 栅极触发装置可控硅整流器局域网
    文件页数/大小： 9 页 / 115 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号112MT80KBS90PBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号112MT80KBS90PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号112MT80KBS90PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号112MT80KBS90PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号112MT80KBS90PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号112MT80KBS90PBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号112MT80KBS90PBF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号112MT80KBS90PBF的Datasheet PDF文件第9页  
    53-93-113MT..KB系列
    公告I27503 08/97
    电气规格
    电压额定值
    电压
    类型编号
    CODE
    V
    RRM
    最大
    重复峰值
    反向电压
    V
    800
    1000
    1200
    1400
    1600
    800
    1000
    1200
    1400
    1600
    V
    RSM
    最大
    非重复性峰值
    反向电压
    V
    900
    1100
    1300
    1500
    1700
    900
    1100
    1300
    1500
    1700
    V
    DRM
    ，最大值重复
    峰值断态电压
    门开路
    V
    800
    1000
    1200
    1400
    1600
    800
    1000
    1200
    1400
    1600
    I
    RRM
    /I
    DRM
    马克斯。
    @ T
    J
    = 125°C
    mA
    80
    100
    53/52/51MT..KB
    120
    140
    160
    80
    93/92/91MT..KB
    113/112/111MT..KB
    100
    120
    140
    160
    10
    20
    正向导通
    参数
    I
    O
    I
    TSM
    最大直流输出电流
    @外壳温度
    最大峰值，单周期
    向前，不重复
    状态浪涌电流
    It
    2
    53MT.KB 93MT.KB 113MT.KB
    52MT.KB 92MT.KB 112MT.KB单位条件
    51MT.KB 91MT.KB 111MT.KB
    55
    85
    390
    410
    330
    345
    770
    700
    540
    500
    90
    85
    950
    1000
    800
    840
    4525
    4130
    3200
    2920
    45250
    1.09
    1.27
    4.10
    3.59
    1.65
    150
    200
    mA
    400
    110
    85
    1130
    1180
    950
    1000
    6380
    5830
    4510
    4120
    63800
    1.04
    1.27
    3.93
    3.37
    1.57
    V
    A / μs的
    mΩ
    A
    √s
    2
    A
    °C
    A
    120 °矩形导通角
    T = 10ms的
    T = 8.3ms的
    T = 10ms的
    T = 8.3ms的
    无电压
    重新申请
    100% V
    RRM
    重新申请
    无电压
    重新申请
    100% V
    RRM
    重新申请
    初始
    T
    J
    = T
    J
    马克斯。
    对于融合的最大余吨
    2
    As
    2
    T = 10ms的
    T = 8.3ms的
    T = 10ms的
    T = 8.3ms的
    I
    √t
    2
    我最大
    √t
    对于融合
    2
    7700
    1.17
    1.45
    12.40
    11.04
    2.68
    T = 0.1〜 10ms时，没有电压重新申请
    (16.7% x
    π
    X我
    T（ AV ）
    ＆ LT ; I＆ LT ;
    π
    X我
    T（ AV ）
    ), @ T
    J
    马克斯。
    （I GT ;
    π
    X我
    T（ AV ）
    ), @ T
    J
    马克斯。
    (16.7% x
    π
    X我
    T（ AV ）
    ＆ LT ; I＆ LT ;
    π
    X我
    T（ AV ）
    ), @ T
    J
    马克斯。
    （I GT ;
    π
    X我
    T（ AV ）
    ), @ T
    J
    马克斯。
    I
    pk
    = 150A ，T
    J
    = 25°C
    t
    p
    = 400μS单结
    T
    J
    = 25
    o
    C，从0.67 V
    DRM
    , I
    TM
    =
    π
    X我
    T（ AV ）
    ,
    I
    g
    = 500毫安，T
    r
    < 0.5微秒，T
    p
    > 6微秒
    T
    J
    = 25
    o
    C，阳极电源= 6V ，
    阻性负载，门开路
    T
    J
    = 25
    o
    C，阳极电源= 6V ，电阻性负载
    V
    T(TO)1
    门槛低的电平值
    电压
    V
    T(TO)2
    门槛高的电平值
    电压
    r
    t1
    r
    t2
    V
    TM
    的di / dt
    I
    H
    I
    L
    水平低价值的状态
    斜率电阻
    较高的电平值导通状态
    斜率电阻
    最大通态压降
    马克斯。非重复率
    崛起的导通电流
    马克斯。保持电流
    马克斯。擎住电流
    V
    2
    www.irf.com

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