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IRLU024NPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRLU024NPBF图片预览
型号: IRLU024NPBF
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 10 页 / 305 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
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IRLR/U024NPbF  
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit  
+
ƒ
-
Circuit Layout Considerations  
Low Stray Inductance  
Ground Plane  
Low Leakage Inductance  
Current Transformer  
D.U.T  
+
‚
-
„
-
+

RG  
dv/dt controlled by RG  
+
-
Driver same type as D.U.T.  
ISD controlled by Duty Factor "D"  
D.U.T. - Device Under Test  
VDD  
Driver Gate Drive  
P.W.  
P.W.  
Period  
Period  
D =  
V
=10V  
*
GS  
D.U.T. I Waveform  
SD  
Reverse  
Recovery  
Current  
Body Diode Forward  
Current  
di/dt  
D.U.T. V Waveform  
DS  
Diode Recovery  
dv/dt  
V
DD  
Re-Applied  
Voltage  
Body Diode  
Forward Drop  
Inductor Curent  
I
SD  
Ripple 5%  
* VGS = 5V for Logic Level Devices  
Fig 14. For N-Channel HEXFET® MOSFETs  
www.irf.com  
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