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IRLML6401 参数 Datasheet PDF下载

IRLML6401图片预览
型号: IRLML6401
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 142 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRLML6401
5.0
E
AS
, Single Pulse Avalanche Energy (mJ)
80
4.0
ID
-1.9A
-3.4A
BOTTOM -4.3A
TOP
-I
D
, Drain Current (A)
60
3.0
40
2.0
20
1.0
0.0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T
C
, Case Temperature ( ° C)
Starting T
J
, Junction Temperature (
°
C)
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
1000
Thermal Response (Z
thJA
)
100
D = 0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
0.01
1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D = t
1
/ t
2
2. Peak T
J
= P
DM
x Z
thJA
+ T
A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
P
DM
t
1
t
2
0.1
0.00001
t
1
, Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5