欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IRF830AL 参数 Datasheet PDF下载

IRF830AL图片预览
型号: IRF830AL
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON)最大值= 1.40ohm ,ID = 5.0A ) [Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=1.40ohm, Id=5.0A)]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 155 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
 浏览型号IRF830AL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF830AL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF830AL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF830AL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF830AL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF830AL的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF830AL的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IRF830AL的Datasheet PDF文件第10页  
IRF830AS/L
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T
+
ƒ
-
+
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
‚
-
-
„
+

R
G
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
+
-
V
DD
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
V
GS
=10V
*
D.U.T. I
SD
Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. V
DS
Waveform
Diode Recovery
dv/dt
V
DD
Re-Applied
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Forward Drop
Ripple
5%
I
SD
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Fig 14.
For N-Channel HEXFET
®
Power MOSFET
www.irf.com
7