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IRF830A 参数 Datasheet PDF下载

IRF830A图片预览
型号: IRF830A
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 141 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF830A
5.0
V
DS
V
GS
R
D
4.0
I
D
, Drain Current (A)
R
G
10V
Pulse Width
≤ 1
µs
Duty Factor
≤ 0.1 %
D.U.T.
+
-
V
DD
3.0
2.0
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
1.0
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
, Case Temperature ( °C)
10%
V
GS
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
10
Thermal Response (Z
thJC
)
1 D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t
2
Notes:
1. Duty factor D = t
1
/ t
2
2. Peak T
J
= P
DM
x Z
thJC
+ T
C
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
0.0001
t
1
, Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5