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IRF820A 参数 Datasheet PDF下载

IRF820A图片预览
型号: IRF820A
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON)最大值= 3.0ohm ,ID = 2.5A ) [Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A)]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 101 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF820A
10
VGS
TOP
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
10
I
D
, Drain-to-Source Current (A)
1
I
D
, Drain-to-Source Current (A)
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
TOP
1
0.1
4.5V
4.5V
0.01
0.1
20µs PULSE WIDTH
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
1
10
20µs PULSE WIDTH
T
J
= 150
°
C
100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
10
3.0
I
D
= 2.5A
T
J
= 150
°
C
1
R
DS(on)
, Drain-to-Source On Resistance
(Normalized)
I
D
, Drain-to-Source Current (A)
2.5
2.0
T
J
= 25
°
C
0.1
1.5
1.0
0.5
0.01
4.0
V DS = 50V
20µs PULSE WIDTH
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
T
J
, Junction Temperature (
°
C)
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
www.irf.com
3