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    IRF7313UPBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRF7313UPBF图片预览
    型号： IRF7313UPBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SO-8]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲光电二极管局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 546 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRF7313UPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF7313UPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7313UPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7313UPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7313UPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7313UPBF的Datasheet PDF文件第7页  
    IRF7313
    R
    DS(on)
    , Drain-to-Source On Resistance
    (Normalized)
    I
    D
    = 5.8A
    R
    DS
    (on) , Drain-to-Source On Resistance (Ω)
    2.0
    0.040
    0.036
    V
    GS
    = 4.5V
    1.5
    0.032
    1.0
    0.028
    0.5
    0.024
    V
    GS
    = 10V
    0.0
    -60 -40 -20
    V
    GS
    = 10V
    0
    20
    40
    60
    80 100 120 140 160
    0.020
    0
    10
    20
    30
    40
    A
    T
    J
    , Junction Temperature (
    °
    C)
    I
    D
    , Drain Current (A)
    Fig 5.
    Normalized On-Resistance
    Vs. Temperature
    Fig 6.
    Typical On-Resistance Vs. Drain
    Current
    R
    DS
    (on) , Drain-to-Source On Resistance (Ω)
    E
    AS
    , Single Pulse Avalanche Energy (mJ)
    0.12
    200
    TOP
    160
    0.10
    BOTTOM
    I
    I
    D
    D
    1.8A
    3.2A
    4.0A
    0.08
    120
    0.06
    I
    D
    = 5.8A
    0.04
    80
    0.02
    40
    0.00
    0
    3
    6
    9
    12
    15
    A
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    A
    150
    V
    GS
    , Gate-to-Source Voltage (V)
    Starting T
    J
    , Junction Temperature (°C)
    Fig 7.
    Typical On-Resistance Vs. Gate
    Voltage
    Fig 8.
    Maximum Avalanche Energy
    Vs. Drain Current

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