ISL6614
SO14包是约1W ，在室温下
而功率耗散能力在QFN封装，
带裸露热焊盘逃跑，是2W左右。看到布局
注意事项段的热转印改善
建议。在设计驱动程序到应用程序中，它
建议下面的计算是用来
确保在为所需的频率运行安全
所选的MOSFET。总栅极驱动电源造成的损失
MOSFET的栅极电荷和驱动程序的内部
电路及其相应的平均驱动电流可以
估计与均衡器。图2和3 ，分别
P
Qg_TOT
=
2
•
P
Qg_Q1
+
2
•
P
Qg_Q2
+
I
Q
•
VCC
Q
G1
•
PVCC
2
-
P
Qg_Q1
= --------------------------------------
•
F
SW
•
N
Q1
V
GS1
Q
G2
•
PVCC
2
-
P
Qg_Q2
= --------------------------------------
•
F
SW
•
N
Q2
V
GS2
R
HI2
G
R
G2
R
GI2
C
GS
Q2
S
PVCC
BOOT
D
C
GD
R
HI1
R
LO1
G
R
G1
R
GI1
C
GS
S
相
Q1
C
DS
图3.典型的上层栅极驱动导通路径
（当量2）
PVCC
D
C
GD
C
DS
Q
G1
•
N
Q1
Q
G2
•
N
Q2
-
-
I
DR
=
----------------------------- + -----------------------------
•
F
SW
•
2
+
I
Q
V
GS2
V
GS1
（当量3）
R
LO2
在栅极电荷（Q
G1
和Q
G2
）被定义在一
特别是栅源电压（V
GS1
和V
GS2
）中的
相应的MOSFET的数据表;我
Q
是驾驶者的总
静态电流无负载在两个驱动输出; ñ
Q1
和N
Q2
在上部和下部的MOSFET的数目，
分别; PVCC是驱动电压为上部和
较低的FET ，分别。在我
Q*
VCC的产物是
驱动器的静态功耗无容性负载，并
通常200mW的在300kHz 。
总栅极驱动功率损耗之间的消散
电阻元件沿着转型之路。该驱动器
电阻消耗的总栅极驱动功率的一部分
亏损，其余的将通过外部门消退
电阻器（R
G1
和R
G2
）和内部栅极电阻
(R
GI1
和R
GI2
）的MOSFET。图3和图4示出了
典型的上部和下部的栅极驱动器的开启转型之路。
对驾驶员的耗散功率可大致
估计为：
P
DR
=
2
•
P
DR_UP
+
2
•
P
DR_LOW
+
I
Q
•
VCC
R
LO1
R
HI1
P
Qg_Q1
-
P
DR_UP
=
-------------------------------------- + ---------------------------------------
•
---------------------
2
R
HI1
+
R
EXT1
R
LO1
+
R
EXT1
R
LO2
R
HI2
P
Qg_Q2
-
P
DR_LOW
=
-------------------------------------- + ---------------------------------------
•
---------------------
2
R
HI2
+
R
EXT2
R
LO2
+
R
EXT2
R
GI1
R
EXT1
=
R
G1
+ -------------
N
Q1
图4.典型的低栅极驱动导通路径
布局的注意事项
对于热扩散，将铜的IC底下是否
它具有裸露焊盘或没有。铜面积可以
延伸超过所述IC和/或底部区域
连接到埋铜平面（ S）有散热孔。这
过孔的垂直散热逃生组合，扩展
铜平面，并为热扩散掩埋面允许
该IC以充分发挥其热势。
将每个信道的功率元件尽可能靠近每个
另外，尽量减少PCB的铜损耗和PCB
寄生：上FET的漏极之间的最短距离
较低的FET和来源;之间的最短距离
较低的FET和电源地的水渠。因此，较小
的正和负的振铃幅度都在
切换PHASE节点的边缘。然而，一些空间
在功率元件之间所需的良好
气流。从驱动程序的痕迹，场效应管应
保持短而宽，以减少走线的电感
并促进清洁驱动信号。
（公式4），
R
GI2
R
EXT2
=
R
G2
+ -------------
N
Q2
10
FN9155.4
2005年7月25日
INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
