IRF630 , RF1S630SM
数据表
1999年6月
网络文件编号
1578.2
9A , 200V , 0.400 Ohm的N通道功率
MOSFET的
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
的MOSFET设计,测试并保证能经受
能在雪崩击穿特定模式网络版水平
的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用,如开关稳压器,开关
变流器,电机驱动器,继电器驱动器,驱动器和高
功率双极开关需要高速的晶体管和
低栅极驱动电源。这些类型可以直接操作
从集成电路。
以前发育类型TA17412 。
特点
• 9A , 200V
• r
DS ( ON)
= 0.400Ω
•单脉冲能量额定雪崩
• SOA是功耗有限公司
•纳秒的开关速度
•线性传输特性
•高输入阻抗
•相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
IRF630
RF1S630SM
包
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
IRF630
RF1S630
符号
D
G
注:订货时,使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A至
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴,即RF1S630SM9A 。
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极(法兰)
门
来源
JEDEC TO- 263AB
漏
(法兰)
4-202
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
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版权
©
Intersil公司1999