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数据
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6613 ， IS
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612A ， IS
12 ， ISL6 14 ， ISL6614A
ISL66
ISL66
®
HIP6601B ， HIP6603B ， HIP6604B
2012年5月1日
FN9072.8
同步整流降压
MOSFET驱动器
该HIP6601B ， HIP6603B和HIP6604B是高频，
双MOSFET驱动器设计用于驱动两个电源
N沟道MOSFET的同步整流降压转换器
拓扑结构。这些驱动程序结合HIP63xx或ISL65xx
一系列的多相降压PWM控制器和MOSFET形式
先进的完整的核心电压稳压器解决方案
微处理器。
该HIP6601B驱动下部栅极在一个同步整流器来
12V，而上部栅极可以独立驱动的范围内
从5V至12V 。该HIP6603B驱动上下两个门
在一定范围5V至12V 。此驱动器电压的灵活性提供
涉及权衡优化应用程序的优势
开关损耗和传导损耗之间。该HIP6604B
可以被配置为一个HIP6601B或HIP6603B 。
在HIP6601B ， HIP6603B和HIP6604B输出驱动器
要有效地开关功率MOSFET的能力
频率高达2MHz 。每个驱动器能够驱动一对
3000pF的负载具有30ns的传播延迟和50ns的过渡
时间。这些产品在实现上引导门
只有一个外部电容器必需的。这将减少
实现的复杂性，并且允许使用更高的
高性能，高性价比， N沟道MOSFET 。自适应
击穿保护集成，以防止两个MOSFET
同时导通。
特点
•驱动两个N沟道MOSFET
•自适应贯通保护
•内部自举设备
•支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 传播延迟为30ns
•小8 LD SOIC和EPSOIC和16 LD QFN封装
•双栅极驱动电压为最佳效率
•三态输入的输出级关闭
•电源欠压保护
• QFN封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-方形扁平无
信息，产品外形。
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和档案稀释剂。
•无铅（符合RoHS ）
应用
•核心电压供应为英特尔奔腾III ， AMD®速龙™
微处理器
•高频超薄型DC / DC转换器
•大电流低电压DC / DC转换器
相关文献
•技术简介
指引及处理
处理湿度敏感表面贴装器件（ SMD器件）
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
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