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ISL661
ISL661
®
HIP6601B ， HIP6603B ， HIP6604B
2005年7月20日
FN9072.7
同步整流降压
MOSFET驱动器
该HIP6601B ， HIP6603B和HIP6604B是高
频率，双MOSFET驱动器专门设计用于
驱动两个功率N沟道MOSFET的同步
整流降压转换器拓扑结构。这些驱动程序相结合
用HIP63xx或ISL65xx系列多相降压的
PWM控制器和MOSFET构成一个完整的核 -
先进的微处理器电压稳压器解决方案。
该HIP6601B驱动下部栅极以同步
整流器到12V ，而上部栅极可以独立地
赶了过来范围为5V至12V 。该HIP6603B驱动器
上下两个栅极在一定范围5V至12V 。这
驱动电压的灵活性提供了优化的优点
涉及的开关损耗之间权衡的应用
与导通损耗。该HIP6604B可以配置为
无论是HIP6601B或HIP6603B 。
在HIP6601B ， HIP6603B的输出驱动器和
HIP6604B具有高效开关电源的容量
MOSFET的工作频率高达2MHz 。每个驱动程序
能够驱动一个3000pF的负载具有30ns的传播
延迟和50ns的过渡时间。这些产品实现
只有一个外部自举在上部栅
电容要求。这降低了实现的复杂度
并且允许使用更高的性能的，具有成本效益，
N沟道MOSFET 。自适应贯通保护
整合，以防止两个MOSFET的导通
同时。
特点
•驱动两个N沟道MOSFET
•自适应贯通保护
•内部自举设备
•支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 传播延迟为30ns
•小8 LD SOIC和EPSOIC和16 LD QFN封装
•双栅极驱动电压为最佳效率
•三态输入的输出级关闭
•电源欠压保护
• QFN封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-四方扁平
没有信息，产品外形。
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和档案稀释剂。
应用
•核心电压供应为英特尔奔腾III ， AMD®
速龙™微处理器
•高频超薄型DC-DC转换器
•大电流低电压DC -DC转换器
相关文献
•技术简介TB363 ，
指引及处理
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD器件）
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
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