DG441 ， DG442
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44.0V
GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25V
GND到V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 34V
数字输入，V
S
, V
D
（注1 ）
。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2V至（V + ） + 2V或30mA时以先到为准
连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
30mA
峰值电流， S或D（脉冲为1ms ， 10 ％占空比最大）
。 。百毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
（ ° C / W）
PDIP封装* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
150
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
（仅SOIC和TSSOP-导线头）
*无铅PDIPs可用于通孔波峰焊
处理而已。它们不用于回流焊使用
处理应用。
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
信号电压范围
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
（最大）
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8V （最大）
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4V （最小值）
输入上升和下降时间
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .≤20ns
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
在S 1信号
X
, D
X
或
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
（双电源）测试条件： V + = + 15V ，V = -15V ，V
IN
= 2.4V, 0.8V, V
类似物
= V
S
, V
D
,
除非另有说明
测试条件
温度
(°C)
民
（注3）
典型值
最大
单位
参数
动态特性
导通时间，t
ON
关断时间，t
关闭
DG441
DG442
电荷注入， Q（图2）
关的分离（图4）
串扰（通道到通道） （图3）
源关断电容，C
S（ OFF）
流掉电容，C
D（关闭）
通道导通电容，
C
D（上）
+ C
秒（上）
数字输入特性
输入电流V
IN
低，我
IL
输入电流V
IN
高，我
IH
模拟开关特性
模拟信号范围，V
类似物
漏源导通电阻，R
DS （上
)
R
L
= 1kΩ的，C
L
= 35pF ，V
S
=
±10V,
（图1）
+25
-
150
250
ns
+25
-
-
90
110
-1
60
-100
4
4
16
120
210
-
-
-
-
-
-
ns
ns
pC
dB
dB
pF
pF
pF
C
L
= 1nF的，V
G
= 0V ，R
G
= 0Ω
R
L
= 50Ω, C
L
= 5pF的， F = 1MHz的
+25
+25
+25
-
-
-
-
-
-
F = 1MHz时， V
类似物
= 0 （图5）
+25
+25
+25
V
IN
根据测试= 0.8V ，所有其他= 2.4V
V
IN
根据测试= 2.4V ，所有其他= 0.8V
满
满
-0.5
-0.5
-0.00001
0.00001
0.5
0.5
μA
μA
满
I
S
= 10毫安，V
D
=
±8.5V,
V+ = 13.5V,
V- = -13.5V
V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V
D
=
±15.5V,
V
S
= 15.5V
+25
+85
+25
+85
+25
+85
-15
-
-
-0.5
-5
-0.5
-5
-0.5
-10
-
50
-
0.01
-
0.01
-
0.08
-
15
85
100
0.5
5
0.5
5
0.5
10
V
Ω
Ω
nA
nA
nA
nA
nA
nA
来源OFF漏电流，I
S（ OFF）
流掉泄漏电流，I
D（关闭）
V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V
S
= V
D
=
±15.5V
通道泄漏电流，
I
D（上）
+ I
秒（上）
+25
+85
4
FN3281.10
2006年11月20日
INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
