DG411 ， DG412 ， DG413
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44V
GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25V
V
L
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （GND -0.3V ）到（V +） + 0.3V
数字输入，V
S
, V
D
（注1 ） 。 。 。 。 。 （ V-） -2V至（V +） + 2V或30mA时
以先到为准科幻RST
连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流， S或D（脉冲为1ms ， 10 ％占空比最大） 。 。百毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20V
（最大）
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8V （最大）
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4V （最小值）
输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
≤20ns
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
在S 1信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
测试条件： V + = + 15V ，V = -15V ，V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V ， 0.8V （注3 ） ，
除非另有规定编
测试条件
温度
(
o
C)
（注4 ） （注5 ） （注4 ）
民
典型值
最大
单位
参数
动态特性
导通时间，t
ON
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ，V
S
=
±10V
（图1）
25
85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
110
-
100
-
25
5
68
-85
9
9
35
175
220
145
160
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
pC
dB
dB
pF
pF
pF
关断时间，t
关闭
25
85
突破前先延时
电荷注入， Q（图3）
截止隔离（图5 ）
串扰（通道 - 通道） ，
（图4）
源关断电容，C
S（ OFF）
流掉电容，C
D（关闭）
通道导通电容，
C
D（上）
+ C
秒（上）
数字输入特性
输入电流V
IN
低，我
IL
输入电流V
IN
高，我
IH
DG413只，R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF （图2）
C
L
= 10nF电容，V
G
= 0V ，R
G
= 0Ω
R
L
= 50Ω, C
L
= 5pF的， F = 1MHz的
25
25
25
25
F = 1MHz的（图6）
25
25
25
V
IN
根据测试= 0.8V ，所有其他= 2.4V
V
IN
根据测试= 2.4V ，所有其他= 0.8V
满
满
-0.5
-0.5
0.005
0.005
0.5
0.5
µA
µA
模拟开关特性
模拟信号范围，V
类似物
漏极 - 源极导通电阻，
r
DS （ ON）
I
S
=
I
S
=
±
±
10mA
10毫安，V
D
=
±8.5V,
V+ = 13.5V, V- = -13.5V
满
25
满
-15
-
-
-
25
-
15
35
45
V
Ω
Ω
3
INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
