抗辐射，并请参阅硬盘6A同步降压稳压器
ISL70001SEH
该ISL70001SEH是抗辐射的，看看硬化
高效率，单片同步降压型稳压器
集成的MOSFET。这种单芯片电源解决方案的工作
在3V至5.5V的输入电压范围，并提供了一个紧密
稳压输出电压从0.8V外部可调
到〜输入电压的85％。输出负载电流容量为6A
对于T
J
< + 145℃
.
高集成度和一流的领先的耐辐射性，使
在ISL70001SEH的理想选择供电当今许多的
小尺寸应用。两个设备可以是
同步提供了一个大的完整的电源解决方案
规模数字IC ，如现场可编程门阵列（FPGA） ，
需要单独的内核和I / O电压。
特点
•± 1 ％的基准电压整个电压，负载，温度和
辐射
•出色的动态响应的电流模式控制
•全明康温度范围操作（T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
•高效率> 90 ％
•固定1MHz的工作频率
• 3V至5.5V电源进行操作
•可调输出电压
- 两个外部电阻设置V
OUT
0.8V至第五〜 85 ％
IN
•双向同步引脚允许两个设备进行同步
180
°
乱相
•与比较器类型的输入设备启用
•电源良好输出电压监视器
•可调的模拟软启动
•输入欠压，输出欠压及输出
过电流保护
•启动进入预偏置负载
•电筛选， DLA SMD 5962-09225
• QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
•辐射硬度
- 总剂量[ 50-300rad （SI ） / S] 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .100krad （ Si）的分
- 总剂量[ <10mrad （SI ） / S] 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .50krad （ Si）的分
• SEE硬度
- SEL和SEB LET
EFF
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86.4MeV /毫克/平方厘米
2
民
- SEFI X -节（ LET
EFF
= 86.4MeV /毫克/平方厘米
2
) 1.4 x 10
-6
cm
2
最大
- 设置LET
EFF
（ < 1脉冲扰动） 86.4MeV /毫克/平方厘米
2
民
应用
• FPGA ， CPLD ， DSP ， CPU核心和I / O电压
•低电压，高密度分布式电源系统
相关文献
• ISL70001SRHEVAL1Z评估板，
规格为抗辐射QML设备由控制
国防后勤局陆地和海洋（ DLA ） 。在SMD
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95
90
5V电源
同步
效率（％）
ISL70001SEH
CORE
85
抗辐射LDO
AUX
RAD TOLERANT
FPGA
80
75
ISL70001SEH
I / O
70
0
1
2
3
4
5
6
负载电流（A ）
图1.典型应用
图2.效率5V输入至3.3V输出，T
A
= +25°C
2011年11月30日
FN7956.0
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
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