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5962R9582101QXC 参数 Datasheet PDF下载

5962R9582101QXC图片预览
型号: 5962R9582101QXC
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内容描述: 抗辐射CMOS高性能可编程DMA控制器 [Radiation Hardened CMOS High Performance Programmable DMA Controller]
分类和应用: 外围集成电路控制器时钟
文件页数/大小: 21 页 / 269 K
品牌: INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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HS-82C37ARH
老化的电路
HS- 82C37ARH 40铅SBDIP
VDD
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
F0
F1
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
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38
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35
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31
30
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26
25
24
23
22
21
F1
F2
F3
F4
F0
F5
负载
负载
负载
负载
负载
F0
负载
负载
NC
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
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16
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20
40
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37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
负载
负载
F2
F1
F0
F5
F4
F3
HS- 82C37ARH 40铅SBDIP
VDD
负载
负载
负载
负载
VDD
静态配置
注意事项:
1. VDD = + 6.0V
±5%
第一部分是对静电敏感
2. T
A
= 125
o
Ç MinimumVoltage必须憋足
3.电阻:
R1 = 10kΩ的
±10%
(引脚6 , 7 , 11-13 , 17 - 20 )
R2 = 2.7kΩ
±5%
(引脚1 , 2 , 21-23 , 24 , 28-32 , 34-39 )
F0
负载
2.7kΩ
2.7kΩ
F1
启动时间
注意事项:
4. F0为占空比50%的方波的脉冲猝发。
5. 1.0kHz
F0
100kHzF0是左高脉冲破灭后
6. 10次
F0突发脉冲
1.0s
7. F1 =单脉冲宽度等于2个周期的F0
8. F1的脉冲爆裂后留下的低
9. F1脉冲发生F0开始后和F0前结束。
输入电平: 0.9VDD
VIH
VDD , -0.3V
VIL
0.7V
注意事项:
动态配置
10. VDD = 6.5V
±5%
(残影)
11. VDD = 6.0V
±5%
(寿命试验)
12. T
A
= 125
o
C最小
13,部分原因是静电敏感,电压必须憋足
14.电阻:
R1 = 10kΩ的
±10%
(引脚6 , 7 , 11-13 , 17 - 20 )
R2 = 2.7kΩ
±10%
(引脚1 , 2 , 22-24 , 28-32 , 34-37 ,和负荷)
9