HS-80C86RH
老化的电路
HS- 80C86RH 40引脚DIP
VDD
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
CLK
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
VDD
2.7kΩ
T
T
≥
5.0µs
负载
2.7kΩ
F0
F15
F14
F13
F12
F11
F10
F9
F8
F7
F6
F5
F4
F3
F2
F1
NMI
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
准备
RESET
负载
负载
负载
负载
负载
负载
F16
负载
负载
负载
负载
负载
MN / MX
负载
HS- 80C86RH 40引脚DIP
VDD
STATIC
注意事项：
15. VDD = + 6.5V
±10%.
16. T
A
= 125
o
C最小。
17，部分原因是静电敏感。
18.电压必须倾斜。
19.包装： 40引脚DIP封装。
20.电阻：
10kΩ
±10%
（引脚17 ， 18 ， 21-23 ， 31 ， 33 ）
2.7kΩ
±5%
（引脚2-16 ， 39 ）
1.0kΩ
±5%
1 / 10W敏（引脚19 ）
5 CLK脉冲最低
初始脉冲之后， CLK为左高
脉冲占空比为50％的方波
注意事项：
动态
21. VDD = 6.5V
±5%
（老化） 。
22. VDD = 6.0V
±5%
（寿命试验） 。
23. T
A
= 125
o
C.
24.包装： 40引脚DIP封装。
25，部分原因是静电敏感。
26.电压必须倾斜。
27.电阻：
为10kΩ （引脚17 ， 18 ， 21 ， 22 ， 23 ， 33 ）
3.3kΩ的（引脚2-16 ， 19 ， 30 ， 31 ， 39 ）
2.7kΩ负载指示
所有的电阻至少有1 / 8W ，
±10%
F0 = 100kHz时， F1 = F0 / 2 ， F2 = F1 / 2 。 。 。
复位，初始化后NMI低。
READY脉冲每320ms的低
MN / MX改变状态的每5.24s
9
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