HS-26CT31RH-T
模具特点
DIE尺寸：
2450μm X 4950μm X 533μm
±25.4µm
（ 97 X 195 X 21mils
±1mil)
金属化：
M1 ：莫/ TIW
厚度： 5800
Å
M2 ：铝/硅/铜
厚度： 10K
Å
±1k
Å
衬底电位：
内部连接到V
DD.
可留浮动。
背面表面处理：
硅
钝化：
类型：二氧化硅
2
厚度： 8K
Å
±1k
Å
最坏情况下的电流密度：
< 2.0e5 /平方厘米
2
晶体管数量：
285
过程：
抗辐射CMOS ， AVLSI
金属掩模布局
HS-26CT31RH
(16) V
DD
(16) V
DD
（15）， DIN
（ 14 ） DO
（ 13 ） DO
（ 12 ）启用
（ 11 ） CO
（ 10 ） CO
CIN （9）
（1）氮化铝
AO （ 2 ）
AO （ 3 ）
ENABLE （ 4 ）
BO （ 5 ）
BO （ 6 ）
GND （ 8 ）
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3
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