ISL705AEH ， ISL705BEH ， ISL705CEH ， ISL706AEH ， ISL706BEH ， ISL706CEH
电气规格
除非另有说明， V
DD
= 4.75V至5.5V的ISL705AEH / BEH / CEH ，V
DD
= 3.15V至3.6V的
ISL706AEH / BEH / CEH牛逼
A
= -55 ° C至+ 125°C 。黑体字限额适用于工作温度范围-55 ° C至+ 125°C ;以上的总剂量
100krad （Si）的与接触以50的高剂量率 - 300krad （硅） /秒;和在一个总剂量50krad的（Si）的与曝光时的低剂量率
<10mrad(Si)/s.
（续）
符号
t
FPFI
参数
条件
民
（注5 ）
典型值
最大
（注6 ） （注5 ）单位
20
25
35
40
µs
µs
PFI下降阈限，以PFO延迟ISL705AEH / BEH / CEH
ISL706AEH/BEH/CEH
注意事项：
5.遵守以数据表的限制是有保证的一种或多种方法：生产测试，表征和/或设计。
如图6所示。典型值反映牛逼
A
= T
J
= + 25°C的操作，并不能保证。
7.复位是唯一的参数中1.2V和建议的最低工作电源电压操作。
典型性能曲线
550
500
450
400
350
300
250
200
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140
ISL706xEH
2.5
2.0
-80
-60
-40
-20
0
V
RST
(V)
ISL705xEH
I
DD
(µA)
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
ISL706xEH
ISL705xEH
20
40
60
80
100 120 140
温度（℃）
温度（℃）
图5.我
DD
与温度
图6. V
RST
与温度
1.4
1.2
1.0
V
PFI
(V)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140
ISL706xEH
RST
ISL705xEH
RST
VDD
温度（℃）
图7. V
PFI
与温度
图8. ISL705xEH复位和复位有效
7
FN8262.0
二零一二年三月三十日
INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
