抗辐射高速，四路SPST ， CMOS
模拟开关
HS- 201HSRH ， HS- 201HSEH
该HS- 201HSRH ， HS- 201HSEH是单片CMOS模拟
开关具有断电输入阻抗高，速度非常快
开关速度和低导通电阻。制造我们
DI RSG过程中确保SEL免疫力，只有很轻微的
灵敏度低剂量率（ ELDRS ） 。这些类V / Q设备
经过测试，保证了300krad （ Si）的总剂量
性能。
断电高输入阻抗使得能够使用该装置的
在不会造成数据总线信号冗余电路
退化。 ESD保护，过压保护，速度快
开关时间，低导通电阻，并且保证辐射
硬度，使得HS- 201HSRH非常适合任何空间
应用中改进的开关性能
所需。
规格为抗辐射QML设备由控制
国防后勤局陆地和海洋（ DLA ） 。在SMD
订货时下面列出的数字必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
包含在SMD
“热链路”被设置在我们的
主页下载。
特点
•电筛选， DLA SMD ＃
•符合MIL -PRF- 38535 QML资格
•辐射性能
- 高剂量率（ 50-300rad （Si）的/秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300krad （SI ）
- 低剂量率（ 0.01rad （SI ） /秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50krad （SI ）
- SEL免疫。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 DI RSG过程
•过压保护（开机，关机） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 30V
•关机高阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 17V
•快速开关时间
- t
ON
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110ns的（最大）
- t
关闭
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80ns的（最大）
•低“ON”的阻力。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50Ω （最大）
•引脚兼容行业标准201型
•工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ， ± 10V到± 15V
•宽的模拟电压范围（ ±15V电源） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 15V
• TTL兼容
应用
•高速多路复用
•采样和保持电路
•数字滤波器
•运算放大器增益切换网络
积分器复位电路
引脚配置
HS1-201HSRH ， HS1-201HSEH SBDIP （ CDIP2 - T16 ）
HS9-201HSRH ， HS9-201HSEH FLATPACK （ CDFP4 - F16 ）
顶视图
A1 1
OUT1 2
IN1 3
V- 4
GND 5
IN4 6
OUT4 7
A4 8
16 A2
15输出2
14 IN2
13 V+
12 NC
11 IN3
10 OUT3
9 A3
2013年6月24日
FN4874.2
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
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