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HS- 303ARH ， HS- 303BRH
数据表
2008年7月7日
FN6411.1
抗辐射
CMOS双路SPDT模拟开关
在HS- 303ARH和HS- 303BRH模拟开关
单片器件采用Intersil的介电制
孤立的抗辐射硅栅（ RSG ）的过程
技术，以确保闩锁释放操作。它们的引脚
兼容，并且功能上等同于所述HS- 303RH ，但
报价提高300kRAD （ Si）的总剂量能力。这些
交换机提供低导通电阻的开关性能
模拟电压高达电源电压。 “ON”时的电阻是低
并保持相当恒定的全系列
操作电压和电流。 “ ON”电阻也撑
合理恒定当暴露于辐射。
先开后合式开关是由5V的数字控制
输入。在HS- 303ARH应与标称操作
±15V电源，而HS- 303BRH应操作
标称± 12V电源。
特点
• QML ，每MIL -PRF- 38535
•辐射性能
- 总剂量： 3×10
5
Rad公司（SI ）
- 请参阅： LET = 60MeV -毫克/平方厘米
2
在60 °入射角，
<150pC收费转移到关的输出
开关
•无闩锁，介质隔离设备群岛
•引脚和功能兼容Intersil公司
HS- 303RH和HI- 303系列模拟开关
•模拟信号范围等于电源电压范围
•低漏。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100nA （最大值，后-Rad公司）
•低R
ON
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70Ω （最大值，后-Rad公司）
•低待机电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150μA / -100μA
（最大值，后-Rad公司）
特定网络阳离子
规格为抗辐射QML装置通过控制
国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。在SMD
订货时下面列出的数字必须使用。
详细的电气规格的HS- 303ARH和
HS- 303BRH载于SMD 5962-95813 。 “热链接”
从我们的网站上提供下载
引脚配置
HS1-303ARH ， HS- 303BRH （ SBDIP ） ， CDIP2 - T14
顶视图
NC
S3
D3
D1
S1
IN1
GND
1
2
3
4
5
6
7
14 V+
13 S4
12 D4
11 D2
10 S2
9 IN2
8 V-
HS9-303ARH ， HS- 303BRH （ FLATPACK ） CDFP3 - F14
顶视图
1
NC
S3
D3
D1
S1
IN1
GND
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V+
S4
D4
D2
S2
IN2
V-
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
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