HS-26CT32RH
模具特点
DIE尺寸：
84密耳X 130密耳
（ 2140μm X 3290μm ）
界面材料：
玻璃钝化：
类型： PSG （磷硅玻璃）
厚度： 10K
Å
±1k
Å
顶级金属化：
M1 ：莫/ TIW
厚度： 5800
Å
M2 ：铝/硅/铜
厚度： 10K
Å
±1k
Å
基材：
AVLSI1RA
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位：
V
DD
（上电时）
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
240
焊垫尺寸：
110μm X 100μm的
金属掩模布局
HS-26CT32RH
艾因
(1)
V
DD
(16)
箱子
(15)
AIN（ 2）
（ 14 ） BIN
AOUT （3）
（ 13 ）布特
ENAB （4）
（ 12 ） ENAB
COUT （ 5 ）
（ 11 ） DOUT
CIN （6）
（ 10 ） DIN
(7)
CIN
(8)
GND
(9)
DIN
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
http://www.intersil.com
2
INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
