19MHz抗辐射40V四路，轨到轨输入输出，
低功耗运算放大器
ISL70444SEH
该ISL70444SEH有四个低功耗放大器
优化，以提供最大的动态范围。这些运
放大器具有轨对一个独特的组合对轨操作
的输入和输出，以及一个压摆增强的前端即
提供超快速压摆率正正比于给定的
步长大小;从而在瞬间提高了精度
的条件下，无论是定期或瞬间。他们还提供了
低功耗，低失调电压和低温度漂移，
因此非常适合用于需要高直流应用
精度和AC性能。随着<5μs恢复单身
事件瞬变（ SET） （ LET
TH
= 86.4MeV •厘米
2
/毫克），该
所需的滤波元件的数目急剧减少。
该ISL70444SEH也不受单粒子闩锁的
它是制作Intersil的专有PR40在硅
绝缘体（SOI）工艺。
它们被设计为工作在2.7V的单电源电压范围
至40V或± 1.35V的分离电源电压范围为± 20V 。
应用这些放大器包括精密
仪器仪表，数据采集，精密电源
控制和流程控制。
该ISL70444SEH是采用14 Ld的密封陶瓷
扁平和模具的工作在温度形式
范围为-55 ° C至+ 125°C 。
特点
•电筛选， DLA SMD ＃
•验收测试50krad （SI ） （ LDR ）晶片由晶片
•从SEE <5μs恢复（ LET
TH
= 86.4MeV •厘米
2
/毫克）
•单位增益稳定
•轨至轨输入和输出
•宽增益·带宽积。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19MHz
•
•
•
•
•
宽的单电源和双电源范围。 。 。 。 。 。 。 。 2.7V至40V最大
低输入偏移电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300μV
低电流消耗（每个放大器） 。 。 。 。 。 。 。 1.1毫安，典型值
无反相输入端与超速
压摆率
- 大信号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60V / μs的
•工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至+ 125°C
•辐射耐受性
- 高剂量率（ 50-300rad （Si）的/秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300krad （SI ）
- 低剂量率（ 0.01rad （SI ） /秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100krad （SI ） *
- SEL / SEB LET
TH
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86.4MeV •厘米
2
/毫克
*通过初步鉴定确定产品的能力。
相关文献
• ISL70444SEH评估板用户指南
• ISL70444SEH单粒子效应报告
• ISL70444SEH SMD
• ISL70444SEH
应用
•精密仪器
•有源滤波器模块
•数据采集
•电源控制
•过程控制
R
F
100kΩ
R
IN
-
+
R
SENSE
10kΩ
R
IN
+
10kΩ
负载
V
REF
R
REF
+
100kΩ
-20
-30
0
+ IN
-IN
30
+2.7V
至40V
VS = ± 18V
20
V
OUT
10
V
OS
(µV)
V
OUT
=
10 (I
负载
* R
SENSE
)
-
V+
ISL70444
V-
+
0
-10
接地
偏见
50
100
150
拉德（SI ）
200
250
300
图1.典型应用：单电源，高边
电流检测放大器
图2. V
OS
SHIFT VS高剂量率辐射
2013年6月14日
FN8411.1
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
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