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ISL74422BRH
数据表
2003年10月
FN6057
抗辐射， 9A ，非反相
功率MOSFET驱动器
硬化ISL74422BRH辐射是一个非反相，
单片高速MOSFET驱动器，旨在转换
5V CMOS逻辑输入信号转换成在高电流输出
电压高达18V 。它的快速上升/下降时间和高的电流
输出允许非常快速控制，即使是最大的动力
的MOSFET在高频应用。
该ISL74422BRH的输入可通过直接驱动我们
IS- 1825ASRH和IS- 1845ASRH的PWM装置。该9A
在MOSFET的大电流输出减少功率损耗
快速充电和放电的大栅极电容。一
供应UVLO （欠压锁定）电路保证
可预见的导通和关断的驱动程序。
构建了Intersil的介质隔离抗辐射
硅栅（RSG ） BiCMOS工艺，这些设备是
免疫单粒子闩锁，并已具体来说
旨在提供在苛刻的性能高度可靠
辐射环境。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-03248 。 “热链接”提供
在我们的网站上下载。
特点
• QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
•电筛选， DSCC SMD ＃ 5962-03248
•辐射环境
- 总剂量（最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300krad （ SI ）
- 闭锁免疫
• I
PEAK
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9A（最小值）
• T
秋天
(C
L
= 10nF的） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 135ns （最大值）
• T
上升
(C
L
= 10nF的） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 135ns （最大值）
•传播延迟（从高到低） （C
L
= 10nF的） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175ns （最大值）
•传播延迟低到高（C
L
= 10nF的） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175ns （最大值）
•上升UVLO阈值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7.5V （最大）
•下降UVLO阈值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6.0V （最小值）
• UVLO迟滞。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0.3V （最小值）
•宽电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8V至18V
•低待机电流消耗
- 输入低。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2.1mA （最大）
- 输入高。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2.7mA （最大）
应用
•开关电源
• DC / DC转换
引脚
ISL74422BRHF （ FLATPACK CDFP4 - F16 ）
顶视图
NC
NC
VS （ IB ）
VIN
GND（ IB）的
NC
NC
GND （ OB ）
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VS （ OB ）
VS （ OB ）
NC
+ VOUT
-VOUT
NC
NC
GND （ OB ）
•电机控制器
订购信息
订购数量
5962F0324801VXC
5962F0324801QXC
国内
MKT 。 NUMBER
ISL74422BRHVF
ISL74422BRHQF
温度。
RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
ISL74422BRHF / PROTO ISL74422BRHF / PROTO
注意事项：
1.引脚3提供电源电压的控制逻辑。它不是
内部连接到引脚15和16的抗噪声能力
的目的，但它必须在外部连接。
2. 5脚是控制逻辑的回报。它内部没有连接到
销8和9，用于抗噪声的目的，但它必须是
外部连接。
3.引脚8和9必须连接到GND 。
4.引脚12和13必须从外部连接。
5.销15和16必须被连接到VS.
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
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