抗辐射9A ，非反相电源
MOSFET驱动器
ISL74422ARH
的抗辐射ISL74422ARH是一个非反相，
单片高速MOSFET驱动器设计
转换为CMOS电平的输入信号转换成高电流
输出电压高达18V 。它的快速上升时间和高
电流输出允许非常快速控制，即使在
最大功率MOSFET在高频应用。
该ISL74422ARH的输入可通过直接驱动
我们的HS- 1825ARH和IS- 1845ASRH的PWM装置。该
9A大电流输出的最小功率损耗
通过MOSFET的快速充放电的高门
电容。
构建了Intersil的介质隔离拉德
硬质硅栅（ RSG ） BiCMOS工艺，这些设备
可抗单粒子闩锁，并已
专门设计来提供高度可靠的
表现在恶劣的辐射环境。
规格为抗辐射QML设备
由美国国防供应中心在控制
哥伦布（ DSCC ） 。在SMD数字列在这里
在订货时，必须使用。
详细的电气规格为这些
装置被包含在贴片5962-01521 。链接
在我们网站上提供下载。
ISL74422ARH
特点
• QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
•电动屏蔽为DSCC SMD ＃ 5962-01521
•辐射环境
- 总剂量（最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300krad （ SI ）
- 闭锁免疫
• I
PEAK
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9A（最小值）
• T
F
(C
L
= 10,000pF ） 。 。 。 。 。 。 。为70ns （典型值） ;为90ns （最大值）
• T
R
(C
L
= 10,000pF ） 。 。 。 。 。为90ns （典型值） ; 105ns （最大值）
•传播延迟（从高到低） （C
L
= 10,000pF ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75ns （最大值） ， 55ns （典型值）
•传播延迟低到高（C
L
= 10,000pF ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为50ns （最大值）为30ns （典型值）
•一致的延迟时间与V
CC
变化
•宽电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 7V至18V
•低待机功耗
- 输入低。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <2mW （最大）
- 输入高。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <18mW （最大）
• ESD保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .>1750V
应用
•开关电源
• DC / DC转换
•电机控制器
引脚配置
ISL74422ARH-F
（ FLATPACK CDFP4 - F16 ）
顶视图
NC
NC
LVS
IN
LGND
NC
NC
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VS
VS
NC
OUT
OUT
NC
NC
GND
2010年4月1日
FN9031.2
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
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