HS-65647RH
Burn-In Circuits
HS-65647RH 28 LEAD FLATPACK AND CERAMIC DIP
1
NC
F13
F8
F7
F6
F5
F4
F3
F2
F1
F14
F14
F14
R2
R2
R2
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
VDD
W
E2
A8
A9
A11
G
A10
E1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
R2
R2
R2
R2
R2
F0
F11
F14
F14
F14
F14
F14
NC
NC
NC
F9
F10
F12
VDD
NC
F0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
VDD
W
E2
A8
A9
A11
28
27
26
25
24
23
HS-65647RH 28 LEAD FLATPACK AND CERAMIC DIP
VDD
G 22
A10 21
E1 20
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
19
18
17
16
15
NC
NC
NC
NC
NC
DYNAMIC CONFIGURATION
NOTES:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
VDD = 5.5V Min.
R = 10kΩ
±10%,
except R2 = 47kΩ
±10%.
VIH: VDD
±0.5V,
VIL: 0.4V
±0.4V.
F0 = 100kHz
±10%,
50% Duty Cycle.
F1 = F0/2; F2 = F1/2; F3 = F2/2; . . . F14 = F13/2.
F0 = inverted F0.
HS-65647RH 36 LEAD FLATPACK
VDD
1
2
NC
F13
F8
F7
F6
F5
F4
F3
F2
F1
F14 R2
F14 R2
F14 R2
NC
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
VSS
VDD
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
VSS 36
VDD 35
NC 34
W 33
E2 32
A8 31
A9 30
A11 29
G 28
A10 27
E1 26
DQ7 25
DQ6 24
DQ5 23
DQ4 22
DQ3 21
VDD 20
VSS 19
R2
R2
NC
F0
F9
F10
F12
F0
F11
F14
NC
NC
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
STATIC CONFIGURATION
NOTES:
7. VDD = 5.5V Min.
8. R = 10kΩ
±10%.
HS-65647RH 36 LEAD FLATPACK
VDD
VSS
VDD
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
VSS 36
VDD 35
NC 34
W 33
E2 32
A8 31
A9 30
A11 29
G 28
A10 27
E1 26
DQ7 25
DQ6 24
DQ5 23
DQ4 22
DQ3 21
VDD 20
VSS 19
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQ0
14
DQ1
15
DQ2
16
NC
17
VDD
18
VSS
F14
R2
F14
R2
F14
R2
F14
DQ0
14
DQ1
15
DQ2
16
NC
17
VDD
18
VSS
DYNAMIC CONFIGURATION
NOTES:
9.
10.
11.
12.
13.
14.
VDD = 5.5V Min.
R = 10kΩ
±10%,
except R2 = 4.7kΩ
±10%.
VIH: VDD
±0.5V,
VIL: 0.4V
±0.4V.
F0 = 100kHz
±10%,
50% Duty Cycle.
F1 = F0/2; F2 = F1/2; F3 = F2/2; . . . F14 = F13/2.
F0 = Inverted F0.
NOTES:
STATIC CONFIGURATION
15. VDD = 5.5V Min.
16. R = 10kΩ
±10%.
6
INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
