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VCR2N图片预览
型号: VCR2N
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内容描述: N沟道硅压控电阻JFET [N-Channel Silicon Voltage Controlled Resistor JFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 63 K
品牌: INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
   
C-8
01/99
VCR2N , VCR4N , VCR7N
N沟道硅压控电阻JFET
¥
¥
¥
¥
小信号衰减器
过滤器
扩增fi er增益控制
振荡幅度控制
在T绝对最大额定值
A
= 25¡C.
反向栅源&反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额
– 15 V
10毫安
300毫瓦
2.4毫瓦/°C的
VCR2N
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
门源截止电压
动态电气特性
漏源导通电阻
排水栅电容
来源栅极电容
r
DS ( ON)
C
dg
C
sg
20
60
7.5
7.5
V
( BR ) GSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
–1
NJ72
– 15
–5
– 3.5
最大
VCR4N
NJ16
– 15
– 0.2
– 3.5
–7
最大
单位
V
nA
V
过程
测试条件
I
G
= - 1 μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 15V, V
DS
= ØV
I
D
= - 1 μA ,V
DS
= 10V
200
600
3
3
pF
pF
V
GS
= 0V ,我
D
= ØA
V
DG
= 10V ,我
S
= ØA
V
DG
= 10V ,我
D
= ØA
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
VCR7N
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
门源截止电压
动态电气特性
漏源导通电阻
排水栅电容
来源栅极电容
r
DS ( ON)
C
dg
C
sg
4000
8000
1.5
1.5
pF
pF
V
GS
= 0V ,我
D
= ØA
V
DG
= 10V ,我
S
= ØA
V
DG
= 10V ,我
D
= ØA
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
( BR ) GSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
– 2.5
NJ01
– 15
– 0.1
–5
最大
单位
V
nA
V
过程
测试条件
I
G
= - 1 μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 15V, V
DS
= ØV
I
D
= - 1 μA ,V
DS
= 10V
VCR2N & VCR4N
TOÐ18套餐
见G部分的外形尺寸
VCR7N
TOÐ72套餐
见G部分的外形尺寸
引脚配置
1来源, 2漏, 3门&案例
引脚配置
1来源, 2漏, 3门&案例
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
www.interfet.com