VCR11N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VCR11N
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道硅压控电阻JFET [N-Channel Silicon Voltage Controlled Resistor JFET]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管放大器
文件页数/大小：	1 页 / 91 K
品牌：	INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]

C-10

01/99

VCR11N

N沟道硅压控电阻JFET

小信号衰减器

过滤器

扩增fi er增益控制

振荡幅度控制

在T绝对最大额定值

= 25¡C.

反向栅源&反向栅极漏极电压

连续正向栅电流

连续器件功耗

功率降额

– 15 V

10毫安

300毫瓦

2.4毫瓦/°C的

在25 ℃的自由空气温度：

静态电气特性

门源击穿电压

门反向电流

门源截止电压

静态漏源导通电阻率

VCR11N

民

（ BR ） GSS

GSS

GS （ OFF ）

DS （分钟）

DS （ MAX）

–8

.95

– 25

– 0.2

– 12

最大

单位

过程NJ26

测试条件

= - 1 μA ，V

= ØV

= – 15V, V

= ØV

= 1 μA ，V

= – 10V

= 100 mV的河

DS1

= 200Ω

GS1

= V

GS2

, r

DS1

= 2 kΩ

Ω

动态电气特性

漏源导通电阻

排水栅电容

来源栅极电容

DS （ ON）

200

7.5

= 0V ，我

= ØA

= 10V ，我

= ØA

= 10V ，我

= ØA

F = 1千赫

F = 1 MHz的

TOÐ71套餐

尺寸以英寸（毫米）

引脚配置

1来源， 2排水1 ， 3 1号门，

5资料来源2,6排水2,7门2

1000 N.希洛路，花环，TX 75042

(972) 487-1287

传真

(972) 276-3375

www.interfet.com

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案