NJ36D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NJ36D
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内容描述：	硅结型场效应晶体管 [Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 128 K
品牌：	INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]

F-22

01/99

NJ36D过程

硅结型场效应晶体管

¥单片双通道建设

¥高频放大器

¥低噪声放大器

绝对最大额定值在Ta = 25°C

栅极电流，免疫球蛋白

工作结温， TJ

储存温度， TS

10毫安

+150°C

- 65 ° C至+ 175℃

芯片尺寸= 0.026" X 0.026"

所有邦德片= 0.004"平方米。

基材也是门。

基于所述NJ36D过程中此数据手册的设备。

数据表

2N5911, 2N5912

IFN5911 ， IFN5912

在25 ℃的自由空气温度：

静态电气特性

门源击穿电压

反向栅极漏电流

饱和漏电流（脉冲）

门源截止电压

动态电气特性

漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

反馈电容

等效噪声电压

差分门源电压

DS （ ON）

国际空间站

RSS

GS1

– V

GS2

NJ36D过程

民

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

– 0.5

– 25

典型值

– 35

0.05

0.1

–8

最大

单位

测试条件

= - 1毫安， V

= ØV

= – 15V, V

= ØV

= 15V, V

= ØV

= 15V ，我

= 1 NA

8.5

5.5

1.5

250

7.0

100

Ω

= O毫安，V

= ØV

= 15V, V

= ØV

= 10V, V

= ØV

= 10V, V

= ØV

= 15V ，我

= 5毫安

F = 1千赫

F = 1 MHz的

F = 1千赫

内华达州/ √Hz的V

= 15V ，我

= 5毫安

1000 N.希洛路，花环，TX 75042

(972) 487-1287

传真

(972) 276-3375

www.interfet.com

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