NJ30 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NJ30
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内容描述：	硅结型场效应晶体管的低噪声，高增益放大器 [Silicon Junction Field-Effect Transistor Low-Noise, High Gain Amplifier]
分类和应用：	晶体放大器晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 97 K
品牌：	INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]

F-14

01/99

NJ30过程

硅结型场效应晶体管

日元的低噪声，高增益放大器

绝对最大额定值在Ta = 25°C

栅极电流，免疫球蛋白

工作结温， TJ

储存温度， TS

10毫安

+150°C

- 65 ° C至+ 175℃

S-D

芯片尺寸= 0.016" X 0.016"

全能焊垫= 0.0028"

所有广场焊垫= 0.004"

基材也是门。

这适用于客户指定的进程

应用程序。

在25 ℃的自由空气温度：

静态电气特性

门源击穿电压

反向栅极漏电流

饱和漏电流（脉冲）

门源截止电压

动态电气特性

正向跨导

输入电容

反馈电容

等效噪声电压

国际空间站

RSS

4.3

1.5

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

–1

民

– 30

典型值

– 40

– 10

– 100

–5

最大

单位

NJ30过程

测试条件

= - 1 μA ，V

= ØV

= – 20V, V

= ØV

= 15V, V

= ØV

= 15V ，我

= 1 NA

= 15V, V

= ØV

= 15V, V

= ØV

= 15V, V

= ØV

F = 1千赫

F = 1 MHz的

F = 1千赫

内华达州/ √Hz的V

= 10V ，我

= 5毫安

1000 N.希洛路，花环，TX 75042

(972) 487-1287

传真

(972) 276-3375

www.interfet.com

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