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NJ16图片预览
型号: NJ16
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内容描述: 硅结型场效应晶体管 [Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 130 K
品牌: INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
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F-6
01/99
NJ16过程
硅结型场效应晶体管
¥低电流开关
•通用放大器
•高击穿电压
绝对最大额定值在Ta = 25°C
栅极电流,免疫球蛋白
工作结温, TJ
储存温度, TS
10毫安
+150°C
- 65 ° C至+ 175℃
G
芯片尺寸= 0.017" X 0.017"
所有邦德片= 0.004"平方米。
基材也是门。
基于所述NJ16过程中此数据手册的设备。
数据表
2N3954, 2N3955
2N3956
2N3957, 2N3958
2N4220 , 2N4220A
2N4221 , 2N4221A
2N4338, 2N4339
2N4340, 2N4341
2N4867 , 2N4867A
2N4868 , 2N4868A
2N4869 , 2N4869A
数据表
2SK17 , 2SK40
2SK59 , 2SK105
IFN17 , IFN40
IFN59 , IFN105
数据表
J504, J505
J506, J507
J508, J509
J510, J511
J553, J554
J555, J556
J557
U553, U554
U555, U556
U557
VCR4N
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
反向栅极漏电流
饱和漏电流(脉冲)
门源截止电压
动态电气特性
正向跨导
输入电容
反馈电容
等效噪声电压
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
e
N
¯
2.2
3.5
1.2
6
mS
pF
pF
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
0.2
– 0.8
– 50
典型值
– 60
– 10
– 100
9
– 5.5
最大
单位
V
pA
mA
V
NJ16过程
测试条件
I
G
= - 1 μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 30V, V
DS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V ,我
D
= 1 NA
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1千赫
内华达州/ √Hz的V
DS
= 10V ,我
D
= 5毫安
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
www.interfet.com