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NJ132 参数 Datasheet PDF下载

NJ132图片预览
型号: NJ132
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内容描述: 硅结型场效应晶体管 [Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 123 K
品牌: INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
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F-32
01/99
NJ132过程
硅结型场效应晶体管
¥高速开关
¥低噪声放大器
绝对最大额定值在Ta = 25°C
栅极电流,免疫球蛋白
工作结温, TJ
储存温度, TS
10毫安
+150°C
- 65 ° C至+ 175℃
G
S-D
G
芯片尺寸= 0.022" X 0.022"
所有邦德片= 0.004"平方米。
基材也是门。
基于所述NJ132过程中此数据手册的设备。
数据表
2N4391, 2N4392
2N4393
2N4856, 2N4857
2N4858, 2N4859
2N4860, 2N4861
2N4856A , 2N4857A
2N4858A , 2N4859A
数据表
2SK113
IFN113
2N4860A , 2N4861A
J111, J112
J113
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
反向栅极漏电流
饱和漏电流(脉冲)
门源截止电压
动态电气特性
漏源导通电阻
输入电容
反馈电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
r
DS ( ON)
C
国际空间站
C
国际空间站
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
25
12
2.5
6
5
50
pF
pF
ns
ns
ns
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
10
– 0.5
– 30
典型值
– 45
– 10
– 100
150
–7
最大
单位
V
pA
mA
V
NJ132过程
测试条件
I
G
= - 1 μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 20V, V
DS
= ØV
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
V
DS
= 20V ,我
D
= 1 NA
I
D
= 1毫安, V
GSS
= ØV
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
V
DS
= ØV, V
GS
= – 10V
V
DD
= - 10V ,我
D
= 10毫安
R
L
= 10V, V
GS ( ON)
= ØV
V
GS ( OFF )
= – 6V
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
www.interfet.com