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型号: IFN146
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内容描述: 双N沟道硅结型场效应晶体管 [Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 92 K
品牌: INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
   
01/99
D-5
IFN146
双N沟道硅结型场效应晶体管
¥低噪声音频放大器
日元相当于日本2SK146
在T绝对最大额定值
A
= 25¡C
反向栅源&反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额
存储温度范围
– 40 V
10毫安
375毫瓦
3毫瓦/°C的
- 65 ℃至200 ℃的
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
门源截止电压
饱和漏电流(脉冲)
动态电气特性
常见的来源
正向跨导
共源输入电容
共源反向
传输电容
噪声系数
差分门源电压
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
NF
|V
GS1
– V
GS2
|
IFN146
V
( BR ) GSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
I
DSS
– 0.3
– 40
–1
–1
– 1.2
30
典型值
最大
单位
V
nA
µA
V
mA
过程NJ450
测试条件
I
G
= - 1 μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 30V, V
DS
= ØV
V
GS
= – 30V, V
DS
= ØV
V
DS
= 10V ,我
D
= 1 µA
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
T
A
= 150°C
30
40
75
15
1
20
mS
pF
pF
dB
mV
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
I
DSS
= 5毫安
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
V
DS
= 10V ,我
D
= ØA
V
DS
= 10V ,我
D
= 5毫安
R
G
= 100Ω
V
DS
= 10V ,我
D
= 5毫安
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
TOÐ71套餐
尺寸以英寸(毫米)
引脚配置
1来源, 2门,3个排水,
5源, 6门, 7漏
www.interfet.com
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375