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    IF142 参数 Datasheet PDF下载

    IF142图片预览
    型号： IF142
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    内容描述： N沟道硅结型场效应晶体管 [N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 1 页 / 65 K
    品牌： INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
       
    01/99
    B-29
    IF142
    N沟道硅结型场效应晶体管
    日元的低噪声，高增益放大器
    在T绝对最大额定值
    A
    = 25¡C
    反向栅源&反向栅极漏极电压
    连续正向栅电流
    连续器件功耗
    功率降额
    存储温度范围
    – 20 V
    10毫安
    375毫瓦
    3毫瓦/°C的
    - 65 ℃至200 ℃的
    在25 ℃的自由空气温度：
    静态电气特性
    IF142
    民
    最大
    单位
    过程NJ14AL
    测试条件
    门源击穿电压
    门反向电流
    门源截止电压
    门源电压
    门源正向电压
    饱和漏电流（脉冲）
    动态电气特性
    V
    （ BR ） GSS
    I
    GSS
    V
    GS （ OFF ）
    V
    GS
    V
    GS （ F）
    I
    DSS
    – 25
    – 0.1
    – 0.2
    –6
    –5
    1
    15
    V
    nA
    nA
    V
    V
    V
    mA
    I
    G
    = - 1 μA ，V
    DS
    = ØV
    V
    GS
    = – 15V, V
    DS
    = ØV
    V
    GS
    = – 15V, V
    DS
    = ØV
    V
    DS
    = 15V ，我
    D
    = 5 NA
    V
    DS
    = 15V ，我
    D
    = 50 µA
    V
    DS
    = Ø, I
    G
    = 1毫安
    V
    DS
    = 15V, V
    GS
    = ØV
    T
    A
    = 150°C
    5
    常见的来源
    转发率
    常见的来源
    输出电导
    共源输入电容
    常见的来源
    反向传输电容
    Y
    fs
    Y
    os
    C
    国际空间站
    C
    RSS
    3.5
    0.05
    3
    0.6
    典型值
    mS
    µS
    pF
    pF
    V
    DS
    = 15V, V
    GS
    = ØV
    V
    DS
    = 15V, V
    GS
    = ØV
    V
    DS
    = 15V, V
    GS
    = ØV
    V
    DS
    = 15V, V
    GS
    = ØV
    F = 1千赫
    F = 1千赫
    F = 1 MHz的
    F = 1 MHz的
    相当于短路
    输入噪声电压
    e
    N
    ¯
    4
    纳伏/赫兹÷
    V
    DS
    = 12V, V
    GS
    = ØV
    F = 10赫兹
    TOÐ236AB套餐
    尺寸以英寸（毫米）
    引脚配置
    1漏， 2来源， 3门
    www.interfet.com
    1000 N.希洛路，花环，TX 75042
    (972) 487-1287
    传真
    (972) 276-3375

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