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    2N6550 参数 Datasheet PDF下载

    2N6550图片预览
    型号： 2N6550
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道硅结型场效应晶体管 [N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管放大器
    文件页数/大小： 1 页 / 96 K
    品牌： INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
       
    01/99
    B-27
    2N6550
    N沟道硅结型场效应晶体管
    日元的低噪声，高增益放大器
    在T绝对最大额定值
    A
    =25¡C
    反向栅源&反向栅极漏极电压
    Continuious正向栅电流
    连续器件功耗
    功率降额
    结温（工作&存储）
    – 20 V
    50毫安
    400毫瓦
    2.3毫瓦/°C的
    - 65 ° C至+ 200℃
    在25 ℃的自由空气温度：
    静态电气特性
    门源击穿电压
    栅极漏电流
    零栅压漏电流（脉冲）
    2N6550
    民
    V
    （ BR ） GSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    GS （ OFF ）
    10
    – 0.3
    100
    – 20
    –3
    – 0.1
    250
    –3
    典型值
    最大
    单位
    V
    nA
    µA
    mA
    V
    过程NJ450L
    测试条件
    I
    G
    = 10 μA ，V
    DS
    = ØV
    V
    GS
    = – 10V, V
    DS
    = ØV
    V
    GS
    = – 10V, V
    DS
    = ØV
    V
    DS
    = 10V, V
    GS
    = Ø V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    - 0.1毫安
    T
    A
    = 85°C
    门源截止电压
    动态电气特性
    跨
    共源输出电导
    共源输入电容
    g
    fs
    |Y
    os
    |
    C
    国际空间站
    25
    30
    10
    1.4
    6
    150
    150
    35
    20
    2
    10
    mS
    µS
    pF
    pF
    纳伏/赫兹÷
    纳伏/赫兹÷
    μVRMS
    PA / ÷赫兹
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 10毫安
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 10毫安
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 10毫安
    V
    DS
    = 10V, V
    DS
    = ØV
    V
    DS
    = 5V ，我
    D
    = 10毫安
    V
    DS
    = 5V ，我
    D
    = 10毫安
    V
    DS
    = 5V ，我
    D
    = 10毫安
    R
    S
    < 100kΩ的
    F = 1千赫
    F = 1千赫
    F = 140千赫
    F = 140千赫
    F = 1千赫
    F = 10赫兹
    F = 10千赫
    20千赫
    F = 1千赫
    共源反向传输电容
    C
    RSS
    相当于短路
    输入噪声电压
    e
    N
    ¯
    e
    N
    总
    ¯
    0.4
    0.1
    0.6
    相当于开路输入噪声电流
    ¯
    N
    i
    TOÐ46套餐
    尺寸以英寸（毫米）
    引脚配置
    1漏， 2来源， 3门&案例
    www.interfet.com
    1000 N.希洛路，花环，TX 75042
    (972) 487-1287
    传真
    (972) 276-3375

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